Фототермомагнитный эффект, электронный термомагнитный эффект, возникновение в однородном полупроводнике, помещенном в магнитное поле Н, при облучении его электромагнитным излучением в перпендикулярном направлении, эдс в третьем перпендикулярном направлении. В результате поглощения излучения носителями тока в полупроводниках изменяется их средняя энергия. Такой «разогрев» носителей неоднороден и порождает поток более горячих носителей в направлении распространения излучения. Т. к. в этом направлении полупроводник электрически разомкнут, то в противоположном направлении появляется компенсирующий поток более холодных носителей. Время их свободного пробега зависит от энергии, поэтому перпендикулярное к этим потокам магнитное поле по-разному отклоняет горячие и холодные носители, что приводит к появлению эдс.

  В отличие от Нернста – Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, Ф. э. возникает независимо от наличия градиента температуры кристаллической решётки полупроводника и градиента концентрации носителей. Эдс имеет наибольшую величину в полупроводниках с малой эффективной массой носителей тока (например, в InSb при низких температурах). Используется для создания высокочувствительных малоинерционных приёмников СВЧ- и инфракрасного излучения, применяемых в радиоастрономии, космических исследованиях, спектроскопии, радиотеплолокации.

  Лит.: Электронный термомагнитный эффект, «Радиотехника и электроника», 1963, т. 8, в. 6, с. 994.

  Э. М. Эпштейн.